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MMBTH10-7-F  与  BFP 720ESD H6327  区别

型号 MMBTH10-7-F BFP 720ESD H6327
唯样编号 A36-MMBTH10-7-F A-BFP 720ESD H6327
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用三极管 RF晶体管
描述 TRANS NPN VHF/UHF 25V SOT23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 300mW -
直流集电极/Base Gain hfe Min - 160
功率 - 1/10W
特征频率fT 650MHz -
工作频率 - 43GHz
集电极-射极饱和电压 500mV -
集电极—发射极最大电压 VCEO - 4.2V
FET类型 - RFSiliconGermanium
封装/外壳 SOT-23 -
VCBO 30V -
工作温度 -55℃~150℃ -
系列 - BFP720
配置 - Single
VEBO 3V -
集电极连续电流 50mA 30mA
直流电流增益hFE 60 -
集电极-发射极最大电压VCEO 25V -
晶体管类型 NPN -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
MMBTH10-7-F Diodes Incorporated  数据手册 通用三极管

SOT-23 300mW NPN 25V 50mA 500mV 60 650MHz

暂无价格 0 当前型号
2SC5066-O,LF Toshiba  数据手册 RF三极管

SSM NPN

暂无价格 0 对比
BFP 720ESD H6327 Infineon  数据手册 RF晶体管

BFP720ESDH6327XTSA1_null

暂无价格 0 对比
MMBTH10-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用三极管

暂无价格 0 对比
BFP720ESDH6327XTSA1 Infineon  数据手册 RF晶体管

BFP 720ESD H6327_null

暂无价格 0 对比
BFQ790H6327XTSA1 Infineon  数据手册 运算放大器

BFQ 790 H6327_TO-243AA

暂无价格 0 对比

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